আনুষাঙ্গিক প্রযুক্রির পণ্য সাম্প্রতিক সংবাদ

‘এলপিডিডিআরফাইভএক্স ডির‍্যাম’ প্রযুক্তি নিয়ে এলো স্যামসাং

ক.বি.ডেস্ক: প্রযুক্তিগত উদ্ভাবনের বিকাশের ক্ষেত্রে স্যামসাং এবার ১৪-ন্যানোমিটার (এনএম) ভিত্তিক ১৬-গিগাবিট ‘‘লো পাওয়ার ডাবল ডেটা রেট ফাইভএক্স (এলপিডিডিআরফাইভএক্স) ডির‍্যাম’’ নিয়ে এলো। স্যামসাংয়ের এলপিডিডিআরফাইভএক্স ডির‍্যাম মূলত কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তা, ফাইভজি প্রযুক্তি এবং মেটাভার্সের মতো উচ্চগতির ডেটা সেবা অ্যাপ্লিকেশনগুলির মাধ্যমে প্রযুক্তিগত প্রবৃদ্ধি বাড়িয়ে তোলার লক্ষ্যকে সামনে রেখে ডিজাইন করা হয়েছে।

স্যামসাংয়ের এলপিডিডিআরফাইভএক্স পরবর্তী প্রজন্মের মোবাইল ডির‍্যাম, যা ভবিষ্যতের ফাইভজি অ্যাপ্লিকেশনগুলির গতি, ক্ষমতা এবং শক্তি সঞ্চয়কে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করার জন্য তৈরি করা হয়েছে। এটি সেকেন্ডে ৮.৫জিবিপিএস পর্যন্ত ডেটা প্রসেসিং গতি প্রদানে সক্ষম। যা এলপিডিডিআরফাইভর ৬.৪জিবিপিএসর চেয়ে ১.৩ গুণ বেশি দ্রুত। এ খাতের সবচাইতে আধুনিক ১৪-ন্যানোমিটার (এনএম) ডির‍্যাম প্রক্রিয়া প্রযুক্তি ব্যবহারের মাধ্যমে এটি এলপিডিডিআরফাইভ মেমোরির তুলনায় প্রায় ২০ শতাংশ কম শক্তি ব্যবহার করবে।

এর ১৬-গিগাবিট এলপিডিডিআরফাইভএক্স চিপ প্রতি মেমোরি প্যাকেজে ৬৪ গিগাবাইট (জিবি) পর্যন্ত সক্ষমতা প্রদান করবে, যা বিশ্বব্যাপী উচ্চ-ক্ষমতার মোবাইল ডির‍্যামের ক্রমবর্ধমান চাহিদা পূরণে ভূমিকা রাখবে। সংক্ষেপে, এলপিডিডিআরফাইভএক্স স্মার্টফোনের হাই-পারফরমেন্স এবং লো-পাওয়ার মেমোরির ব্যবহারকে আরও বর্ধিত করে এআই এবং এজ অ্যাপ্লিকেশন পর্যন্ত বিস্তৃত করবে। সেই সঙ্গে ডিজিটাল রিয়েলিটি ওয়ার্ল্ডের সম্প্রসারণের জন্য যথোপযুক্ত কাঠামো তৈরি করতে স্যামসাং খুব শীঘ্রই বিশ্বব্যাপী চিপসেট প্রস্তুতকারকদের সঙ্গে কাজ শুরু করবে।

যেকোনো কমপিউটিং ডিভাইসের সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ হার্ডওয়্যার উপাদানগুলোর মধ্যে একটি হল র‍্যাম। প্রায়শই যেকোনো ডিভাইসের নির্মাণকাঠামো, গতি, ল্যাটেন্সি এবং অন্যান্য গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্যের তুলনায় র‍্যাম তুলনামূলকভাবে বেশি মনোযোগ আকর্ষণ করে। প্রতিটি নতুন জেনেরেশনের সঙ্গে সঙ্গে মোবাইল ডির‍্যাম আরও দ্রুত এবং দক্ষ হওয়ার প্রবণতা রাখে। সর্বশেষ জেনারেশনের মোবাইল ডির‍্যামের মাধ্যমে স্যামসাং স্মার্টফোনের বাইরেও সার্ভার এবং অটোমোবাইলের মতো এআই-ভিত্তিক প্রান্ত অ্যাপ্লিকেশনগুলোর জন্যও হাই-পারফরমেন্স এবং লো-পাওয়ার মেমোরি নিশ্চিত করছে।

Related Posts

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *